DI040N03PT-AQ je v miniaturnem QFN3x3 paketu oziroma brezžično-močnostnem ohišju, kjer so povezave skoraj v celoti skrite na dnu naprave.

Posledično je površina elementa le 3,3 mm² x 3,3 mm².

Nizki Rds(on), 6 mOhm, na tem Power MOSFET, dovoljuje odtočni tok do 40 A pri 25° C temperature ohišja.

Razlika med odtočno in izvirno napetostjo je lahko do 30 V, z enojnim pulznim plazom do 100 mJ.

Element ni omejen le na DC obratovanje in je lahko zaradi nizkih vklopnih in izklopnih karakteristik primeren za visoke frekvence.

Za več informacij in vzorce lahko kontaktirate: fae@ic-elect.si.