MORNSUN je predstavil NOVO družino pretvornikov DC/DC QA-R3G posebej namenjeno pogonom IGBT/SiC MOSFET.

Z razvojem nove energetske industrije se razpon in zahteve polprevodniških naprav nenehno širijo.

Ključna komponenta polprevodniških naprav v sistemih za polnjenje električnih vozil in fotovoltaiki na osnovi sončne energije (PV SVG) je IGBT/SiC MOSFET, ki zahteva višje standarde.

Za IGBT/SiC MOSFET, kot prevladujoče polprevodniške naprave, so najpogostejši razredi napetosti 650V/900V/1200V/1700V.

Družina QA-R3G, ki je skladna s standardom IEC-61800-5-1, ima veliko nazivno izolacijsko napetost (kontinuirani izpust) do 1700 V, kar omogoča uporabo pretvornika z napravami IGBT/SiC MOSFET z napetostmi do 1700 V.

Za več informacij in vzorce lahko kontaktirate: fae@ic-elect.si.